《半導體物理》部分

參考書目：

《半導體物理學》（第四版）劉恩科，國防工業(yè)出版社，2010年1月

一、 考試目的與要求

考察考生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎知識解決電子科學與技術(shù)相關(guān)問題的能力。要求考生對半導體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握半導體物理中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。

二、 試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）

題型比例：

1．名詞解釋     約20分

2．簡答題       約20分

3．計算題       約20分

4．分析論述題   約15分

三、考試內(nèi)容與要求

（一）半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)

考試內(nèi)容

半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，能帶，半導體中的共有化運動和有效質(zhì)量，本征半導體的導電機構(gòu)，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)。

考試要求

1．理解半導體的共有化運動、能帶、布里淵區(qū)、有效質(zhì)量的基本概念。

2．理解本征半導體的導電機構(gòu)，理解空穴的概念。

3．理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)，掌握有效質(zhì)量的計算方法。

（二）半導體中雜質(zhì)和缺陷能級

考試內(nèi)容

半導硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級、點缺陷、位錯。

考試要求

1．理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級、受主雜質(zhì)、受主能級的概念。

2．理解點缺陷、位錯的概念及機制。

（三）半導體中載流子的統(tǒng)計分布

考試內(nèi)容

狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質(zhì)半導體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計分布，簡并半導體。

考試要求

1．理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。

2．理解并熟練掌握費米能級和載流子的統(tǒng)計分布。

3．理解并熟練掌握本征半導體的載流子濃度的概念和表示方法。

4．理解并熟練掌握雜質(zhì)半導體的載流子濃度的概念和表示方法。

5．理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計分布。

6．理解并熟練掌握簡并半導體的概念，簡并半導體的載流子濃度的表示方法，簡并化條件。了解禁帶變窄效應。

（四）半導體的導電性

考試內(nèi)容

載流子的漂移運動，遷移率，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強電場下的效應，熱載流子。

考試要求

1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運動。

2．理解并熟練掌握遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系。

3．了解強電場下的效應和熱載流子的概念。

（五）非平衡載流子

考試內(nèi)容

非平衡載流子的注入與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，載流子的擴散運動，載流子的漂移運動，連續(xù)性方程式。

考試要求

1．理解非平衡載流子的注入與復合、非平衡載流子的壽命、準費米能級的概念。

2．了解復合理論，理解直接復合、間接復合、表面復合、俄歇復合的概念。

3．理解并熟練掌握載流子的擴散運動、漂移運動。

4．理解并熟練掌握連續(xù)性方程式。

（六）p-n結(jié)

考試內(nèi)容

p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容，p-n結(jié)擊穿，p-n結(jié)隧道效應。

考試要求

1．理解并掌握p-n結(jié)及其能帶圖。

2．理解并掌握p-n結(jié)電流電壓特性。

3．理解p-n結(jié)電容的概念、電容表達式。

4．理解雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿的概念。

5．了解p-n結(jié)隧道效應。

（七）金屬和半導體的接觸

考試內(nèi)容

金屬半導體接觸及其能級圖，金屬半導體接觸整流理論。

考試要求

1．了解金屬半導體接觸及其能帶圖。

2．理解功函數(shù)、接觸電勢差的概念，包括公式、能帶示意圖。

（八）半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)

考試內(nèi)容

空間電荷層及表面勢，理想MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性，金屬與半導體功函數(shù)差對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響。

考試要求

1．理解表面電場效應，空間電荷層及表面勢的概念。

2．理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場、電勢和電容的關(guān)系。

3．理解并熟練掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，并能靈活運用。

《集成電路基礎》部分

參考書目：

《數(shù)字電子技術(shù)基礎》（第六版） 閆石，高等教育出版社，2016年4月

《模擬電子技術(shù)基礎》（第五版） 童詩白，高等教育出版社，2015年7月

一、考試目的與要求

考察學生對數(shù)字電路和模擬電路基本概念、分析及設計方法的掌握程度和用基本方法分析設計常用的數(shù)字電路與典型的模擬電路結(jié)構(gòu)的能力。

二、試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）

題型比例：

1．簡答題       20分

2．計算題       25分

3．設計題       30分   

三、考試內(nèi)容與要求

（一）邏輯代數(shù)基礎

考試內(nèi)容

邏輯函數(shù)表示方法、邏輯函數(shù)化簡

考試要求

1．理解邏輯函數(shù)表示方法及不同表示形式之間相互轉(zhuǎn)換。

2．掌握邏輯函數(shù)卡諾圖化簡。

（二）組合邏輯電路

考試內(nèi)容

組合電路分析與設計、常用組合邏輯電路及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

1．掌握組合邏輯電路分析與設計方法。

2．掌握常用組合邏輯電路功能與設計方法

（三）觸發(fā)器

考試內(nèi)容

SR鎖存器、不同觸發(fā)方式的觸發(fā)器、常見觸發(fā)器

考試要求

1．掌握電平、主從、邊沿觸發(fā)器的電路結(jié)構(gòu)。

2．掌握分析各種觸發(fā)器時序分析。

（四）時序邏輯電路

考試內(nèi)容

時序邏輯電路分析、時序邏輯電路設計

考試要求

1．理解時序邏輯電路分析方法

2．掌握時序邏輯電路設計方法

（五）基本放大電路

考試內(nèi)容

放大的概念及放大電路的性能指標、單管共發(fā)射極放大電路設計與分析。

考試要求

1．了解放大的概念及放大電路的性能指標。

2．掌握單管共發(fā)射極放大電路原理，并能進行設計與分析。

（六）集成運放

考試內(nèi)容

集成運放的電路結(jié)構(gòu)、性能指標估算

考試要求

1．掌握差分輸入級、偏置電路、輸出級典型電路結(jié)構(gòu)。

2．掌握一般運算放大器性能指標估算。

（七）直流電源

考試內(nèi)容

直流電源電路組成結(jié)構(gòu)、單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路

考斯要求

1．了解直流電源電路結(jié)構(gòu)及性能指標計算。

2．掌握單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓電路的設計方法。